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[IT뉴스]中 CXMT “D램 시장 연 38% 성장… 초미세화 기술 장벽 돌파”

온카뱅크관리자

2026-10-20 16:47:25

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> 임시 주총서 D램 시장 장기 성장 전망… AI 수요 확대 기대 5세대 공정 양산·LPDDR6 상용화… 4F² 구조 개발 추진 
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 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT) 로고./로이터연합뉴스
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 중국 최대 D램 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 초미세 공정 기술 개발에 속도를 내겠다는 계획을 밝혔다. 인공지능(AI) 확산으로 2030년까지 D램 시장이 빠르게 성장할 것으로 보고, 기존 공정의 미세화와 차세대 메모리 구조 개발을 병행한다는 전략이다. CXMT는 최근 5세대 D램 공정 양산에 들어가고 최신 모바일 메모리인 LPDDR6까지 제품군을 확대했다.
 20일 중국 과창판일보 등에 따르면 CXMT는 전날 열린 임시 주주총회에서 “현재 거시경제와 산업 환경을 종합적으로 고려할 때 D램 산업의 장기적인 발전에 충분한 자신감을 갖고 있다”고 밝혔다.
 CXMT는 AI 연산 수요 증가로 글로벌 D램 시장이 지속적으로 확대되면서 2025년부터 2030년까지 연평균 성장률이 38.39%에 달할 것으로 전망했다. 회사는 시장 성장에 대응하기 위해 독자적인 연구개발(R&amp;D)과 기술 세대를 건너뛰는 ‘도약형 R&amp;D’ 전략을 추진한다는 계획이다.
 CXMT는 1세대부터 5세대까지 D램 공정 기술 플랫폼의 개발과 제품 세대교체를 완료했다고 밝혔다. 제품군도 모바일용 LPDDR4X부터 DDR5와 DDR5X, 최신 LPDDR6까지 확대했으며, 일부 핵심 기술은 세계 선진 수준에 도달했다고 주장했다.
 특히 D램 제조공정의 초미세화를 향후 핵심 경쟁력으로 제시했다. “메모리 제조의 극한 미세화 분야에서 누구도 개척하지 않은 영역에 깊이 진입해 공정 혁신으로 기술적 병목을 돌파하겠다”는 것이다.
 CXMT는 또 4중 자기정렬 패터닝(SAQP) 기술을 도입해 5세대 D램 공정의 미세화 수준을 높였다고 설명했다. SAQP는 여러 차례 패턴을 형성해 반도체 회로의 선폭과 간격을 줄이는 기술이다. CXMT는 이를 활용해 메모리 집적도와 소자 성능을 개선했으며, 5세대 공정이 업계 최첨단 양산 공정과 비슷한 수준에 도달했다고 발표했다.
 CXMT는 지난 9월 20일 5세대 D램 기술 플랫폼인 ‘G5’의 양산을 공식 발표한 바 있다. G5 공정은 메모리 셀의 활성영역 반간격을 11.95나노미터(㎚·10억분의 1m)까지 줄였으며, 8기가비트(Gb) D램 칩 기준 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 칩의 수가 이전 세대보다 최소 50% 증가했다. G5 공정 기반의 24Gb LPDDR5X 제품도 공개했다.
 모바일용 D램인 LPDDR6도 상용화했다. CXMT는 지난 9월 자사 LPDDR6가 샤오미의 폴더블 스마트폰 ‘샤오미 18 폴드’에 탑재됐다고 발표했다. 해당 제품은 최대 1만2800Mbps의 데이터 전송속도를 지원하며, CXMT 자체 시험 기준 소비전력은 이전 세대인 LPDDR5X보다 20% 낮다.
 차세대 D램 구조인 ‘4F²’ 개발도 추진하고 있다. 4F²는 D램 셀 면적을 기존 6F² 구조보다 줄이는 기술로, 셀에 사용하는 트랜지스터를 수직으로 배치해 집적도를 높이는 방식이다. 같은 회로 미세화 수준에서 셀 면적을 이론적으로 약 3분의 1 줄일 수 있다.
 CXMT는 중국 안후이성 허페이와 베이징에 있는 웨이퍼 공장도 높은 가동률을 유지하고 있다고 밝혔다. 회사는 확보한 주문을 기반으로 생산시설을 운영하고 있으며, 제품군 확대와 원가구조 개선을 통해 시장 변화에 대응하겠다는 방침이다.
 CXMT가 지난 16일 공시한 잠정 실적 전망에 따르면 올해 1~3분기 매출은 2650억~2700억위안(약 52조6000억~53조6000억원)으로, 작년 같은 기간보다 725.9~741.5% 증가할 것으로 예상된다.
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