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[IT뉴스][中 반도체 역습의 실체①] CXMT, 삼전·하닉 제치고 차세대 D램 양산?

온카뱅크관리자

2026-10-27 11:47:25

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> CXMT, 4F² 차세대 D램 구조 출시 계획···실제 대량 양산은 ‘미지수’ D램 캐파 비중 빠르게 올라오지만 글로벌 서버용 진입은 아직 멀어 삼성전자·SK하이닉스와 고부가 HBM 기술 격차도 4~5년 벌어져 
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 <img alt="중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 삼성전자와 SK하이닉스보다 먼저 차세대 4F스퀘어(4F²) D램 기반 제품 출시를 예고하면서 시장을 크게 흔들고 있다. 다만 CXMT의 연내 제품 출시가 실제 대규모 양산으로 이어지기는 어려울 것이란 관측이 지배적이다. 업계에선 CXMT가 4F스퀘어 기반의 양산 수율을 안정화하고 원가 경쟁력을 확보하는 시점이 2028~2029년 이후가 될 것으로 내다보고 있다. / 사진=챗GPT 생성형 AI 이미지" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202610/27/552777-a6ToU27/20261027114507040vzss.jpg" data-org-width="960" dmcf-mid="fPtDC3kLLV" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202610/27/552777-a6ToU27/20261027114507040vzss.jpg" width="658">
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 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 삼성전자와 SK하이닉스보다 먼저 차세대 4F스퀘어(4F²) D램 기반 제품 출시를 예고하면서 시장을 크게 흔들고 있다. 다만 CXMT의 연내 제품 출시가 실제 대규모 양산으로 이어지기는 어려울 것이란 관측이 지배적이다. 업계에선 CXMT가 4F스퀘어 기반의 양산 수율을 안정화하고 원가 경쟁력을 확보하는 시점이 2028~2029년 이후가 될 것으로 내다보고 있다. / 사진=챗GPT 생성형 AI 이미지
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 [시사저널e=고명훈 기자]  중국 반도체 기업들의 추격이 거세지고 있다. 과거 범용·저가 제품을 중심으로 시장 점유율을 확대하던 중국 기업들이 최근엔 차세대 D램과 고적층 낸드플래시, 인공지능(AI) 반도체 등 첨단 영역으로 기술 개발을 확대하면서 한국 반도체 산업의 경쟁력을 위협하는 모습이다. 다만 실제 양산 기술과 수율, 글로벌 고객사 확보 측면에선 여전히 기술 격차가 존재한다는 평가도 나온다. 본지는 4회에 걸쳐 중국 반도체 산업의 기술 추격 현황과 한계를 짚어보고, 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 기업들의 대응 전략과 향후 경쟁 구도를 심층 분석한다. [편집자 주]
 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 삼성전자와 SK하이닉스보다 먼저 차세대 4F스퀘어(4F²) D램 기반 제품 출시를 예고하면서 시장을 크게 흔들고 있다. 중국이 미국의 제재로 초미세 공정의 핵심 기술인 EUV(극자외선) 노광장비를 들여오지 못하는 상황에서 기술 구조 자체를 바꾸는 우회 전략으로 한국 기업을 추격하겠다는 의지를 드러낸 것으로 평가된다.
 CXMT 총재의 해당 내용 발표 후 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 대표 반도체 주가는 물론 미국의 마이크론까지 일제히 큰 폭으로 하락했다. 중국의 점유율 확대와 저가 공세가 차세대 서버용 D램 시장까지 이어질 수 있다는 공포감이 반영됐단 분석이다.
 다만 CXMT의 연내 제품 출시가 실제 대규모 양산으로 이어지기는 어려울 것이란 관측이 지배적이다. 업계에선 CXMT가 4F스퀘어 기반의 양산 수율을 안정화하고 원가 경쟁력을 확보하는 시점이 2028~2029년 이후가 될 것으로 내다보고 있다.
 ◇"CXMT 4F² D램 아직 시제품 수준···삼전·하닉과 동일한 양산 과제 직면"
 27일 반도체업계에 따르면 CXMT는 최근 중국 상하이에서 열린 반도체 관련 행사에서 4F스퀘어 D램 구조를 적용한 서버용 DDR5 RDIMM을 올해 말까지 출시하겠다는 계획을 밝혔다. 앞서 5세대 D램 공정 플랫폼인 G5의 양산을 발표한 데 이어 차세대 D램 구조의 상용화 계획까지 공개하며 기술 개발에 속도를 내는 모습이다.
 4F스퀘어는 D램 셀 내부의 트랜지스터 구조를 수직으로 배치해 셀 하나가 차지하는 면적을 최소 선폭(F)의 제곱 대비 4배 수준으로 줄이는 기술이다. 현재 주류인 6F스퀘어 구조와 비교하면 동일한 설계 기준에서 셀 면적을 3분의 1가량 축소할 수 있다. 같은 크기의 웨이퍼에 더 많은 메모리 셀을 집적할 수 있는 것이다.
 삼성전자와 SK하이닉스 역시 4F스퀘어 구조와 수직 채널 트랜지스터를 활용한 차세대 D램 기술을 개발하고 있다. 다만 두 회사 모두 해당 기술을 적용한 제품의 구체적인 상용화 일정은 확정적으로 공개하지 않은 상황이다.
 CXMT는 4F스퀘어 차세대 D램 구조에 선제 투자해 선두 업체들과의 양산 경쟁에서 빠르게 우위를 선점하겠단 전략이다. 미국의 반도체 수출 규제로 EUV 노광장비 확보에 제약을 받는 중국 기업 입장에선 기존 미세공정 기술의 한계를 극복하기 위한 새로운 접근법이 될 수 있기 때문이다.
 그러나 전문가들은 CXMT가 기술 개발에서 의미 있는 진전을 이뤘더라도 실제 양산 경쟁력 확보까지는 상당한 시간이 필요할 것으로 보고 있다.
 최정동 테크인사이츠 부사장은 시사저널e와의 서면 인터뷰에서 "이번 CXMT의 4F스퀘어 D램 발표는 상당히 중요한 기술적 진전이라고 볼 수 있지만, 2026년말 제품 출시가 고수율 대량 양산을 의미한다고 보지는 않는다"며, "개인적으론 엔지니어링 샘플(ES) 수준으로 보고 있다"고 말했다.
 이어 "2026년말 기능이 구현된 다이(Functional Die) 또는 제한적인 DDR5 RDIMM 시제품 출시는 가능할 것으로 본다"면서도, "의미 있는 양산 수율과 비트당 원가 경쟁력을 확보하는 시점은 2028~2029년 이후가 될 것으로 예상한다"고 부연했다.
 CXMT가 공개한 4F스퀘어 D램의 핵심 기술은 수직 서라운드 게이트(VSG) 트랜지스터와 하이브리드 본딩이다. 기존 평면 구조의 트랜지스터를 수직 형태로 배치하고, 서로 다른 반도체 회로를 정밀하게 접합해 집적도를 높이는 방식이다.
 문제는 수직 구조로 전환하는 과정에서 공정 난도가 크게 높아진다는 점이다. 수직 채널의 균일성을 확보하는 동시에 플로팅 바디 효과(Floating-Body Effect), 누설전류와 데이터 보존 특성, 접촉저항 등을 제어해야 하는 과제가 있으며, 여기에 커패시터 집적과 하이브리드 본딩 수율 확보도 필수적이다.
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 최 부사장은 "CXMT는 VSG 트랜지스터와 하이브리드 본딩 기술을 개발해 접목한다고 발표했지만, 선두 제조사들이 집중하고 있는 여러 도전 과제를 CXMT 역시 해결해야 한다"며, "이러한 과제들이 현재 양산 수준으로 해결됐다고 볼 수는 없다"고 지적했다.
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 <img alt="D램 구조 진화 방향. CXMT는 4F스퀘어 차세대 D램 구조에 선제 투자해 선두 업체들과의 양산 경쟁에서 빠르게 우위를 선점하겠단 전략이다. / 사진=챗PGT 생성형 AI 이미지" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202610/27/552777-a6ToU27/20261027114508360knsh.jpg" data-org-width="960" dmcf-mid="44R3qdtWe2" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202610/27/552777-a6ToU27/20261027114508360knsh.jpg" width="658">
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 D램 구조 진화 방향. CXMT는 4F스퀘어 차세대 D램 구조에 선제 투자해 선두 업체들과의 양산 경쟁에서 빠르게 우위를 선점하겠단 전략이다. / 사진=챗PGT 생성형 AI 이미지
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 다만 CXMT는 삼성전자·SK하이닉스 등 선두 업체들과 달리 상대적으로 선폭이 큰 12~14나노미터(nm)급 공정에서 4F스퀘어 구조를 개발하고 있단 점에서 일부 설계상 이점이 있을 것이란 분석도 나온다. EUV 장비 없이 심자외선(DUV) 멀티패터닝 기술을 활용해 4F스퀘어 구조를 구현할 수 있기 때문이다.
 최 부사장은 "CXMT가 선두 제조사들과 같은 10나노 미만 공정이 아니라 12~14나노 공정에서 4F스퀘어를 개발하고 있어 셀 설계 측면에서는 어느 정도 유리할 수 있다"면서도, "오버레이(Overlay)와 결함 제어, 플로팅 바디 효과 개선, 공정 복잡도 및 원가 측면에서는 여러 부담이 발생할 수 있다"고 설명했다.
 ◇CXMT 서버용 D램 글로벌 시장 진입은 2030년 이후···HBM 기술 격차 4~5년
 CXMT의 기술 추격은 범용 D램을 넘어 고부가 서버용 메모리 시장으로 확대되고 있다. 그동안 PC와 모바일용 D램을 중심으로 생산능력을 늘려왔지만, 최근에는 서버용 DDR5 RDIMM과 고대역폭메모리(HBM) 등 인공지능(AI) 관련 제품 개발에도 속도를 내는 모습이다.
 글로벌 D램 시장에서 CXMT의 생산능력 비중은 앞으로도 지속해서 확대될 전망이다. 테크인사이츠에 따르면 CXMT의 글로벌 D램 웨이퍼 생산능력 비중은 현재 약 13%에서 2030년 20% 안팎까지 높아질 것으로 예상된다.
 그러나 전체 웨이퍼 생산능력 확대가 서버용 D램 시장 점유율 상승으로 직결되지는 않을 것이란 관측이다. 서버용 메모리는 일반 PC용 제품보다 높은 안정성과 신뢰성이 요구되며, 글로벌 서버 제조사들의 까다로운 플랫폼 인증 절차도 거쳐야 한다.
 최 부사장은 "CXMT는 현재 범용 DDR5와 LPDDR에서 빠르게 성장하고 있지만, 서버용 DDR5 RDIMM에서는 아직 기술 성숙도와 고객 인증 측면에서 선두 제조사들과 격차가 있다"며, "4F스퀘어 기반 서버용 DDR5 RDIMM 개발 발표는 PC·모바일 중심에서 고부가 서버 D램 시장으로 본격 진입하려는 계획을 보여주는 것"이라고 평가했다.
 이어 "CXMT의 글로벌 D램 웨이퍼 생산능력 비중이 2030년 20% 내외로 증가하더라도 서버용 D램의 실제 점유율은 수율과 고용량 제품 경쟁력, 서버 플랫폼 인증 등의 문제로 그보다 낮을 것"이라며, "2027~2029년에는 중국 내 서버 업체를 중심으로 공급이 확대되겠지만 글로벌 서버 D램 시장에서 의미 있는 점유율과 가격 경쟁력을 확보하는 시점은 2030년 이후가 될 것"이라고 전망했다.
 HBM 시장에서도 CXMT와 삼성전자·SK하이닉스 간 기술 격차는 여전히 큰 것으로 분석된다. CXMT는 최근 HBM3(5세대)와 HBM3E(6세대) 등 고부가 메모리 개발을 추진하며 중국 AI 반도체 기업들과 협력을 강화하고 있다.
 최 부사장은 "CXMT의 HBM3는 초기 8단 제품을 중심으로 제한적인 샘플 수준의 위험 생산(Risk Production)이 진행되고 있지만, 안정적인 상업 양산 단계에 진입한 것은 아직 아니라고 본다"고 설명했다.
 그러면서 "알리바바의 티헤드(T-Head)와 캠브리콘이 자사 AI 프로세서와 연계해 고객 검증을 진행하고 있는 것으로 알고 있다"며, "실리콘관통전극(TSV), 웨이퍼 박막화, 적층, 열 관리 및 최종 패키지 수율 등 핵심 과제가 남아 있어 고객 검증에 다소 시간이 걸릴 것"이라고 부연했다.
 CXMT의 HBM 본격 생산은 2027년부터 가능할 것이란 전망이다. 글로벌 시장 진출 역시 품질 인증과 지정학적 공급망 위험 등으로 상당한 시간이 필요할 것으로 예상된다.
 최 부사장은 "현재 양산 가능한 기술 완성도와 제품 공정, HBM 패키징 생태계까지 고려하면 선두 제조사들과의 HBM 기술 격차는 약 4~5년 수준"이라며, "CXMT의 HBM은 당분간 중국 내 AI 가속기 시장을 중심으로 제한적으로 공급될 가능성이 높다"고 평가했다.
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