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[IT뉴스]삼성전자, 내년 D램 생산능력 17% 확대 전망… “증설에도 품귀 지속”

온카뱅크관리자

2026-10-19 16:57:25

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> 평택 증설로 월 웨이퍼 처리능력 70만→82만장 증가 HBM에 생산 쏠려… 범용 D램 공급 제약 장기화 전망 서버당 메모리 탑재량 급증… CXMT 증설은 ‘변수’ 
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 <img alt="삼성전자의 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E(오른쪽)와 이를 구성하는 코어 다이 웨이퍼 모습./삼성전자" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202610/19/chosunbiz/20261019165121225giil.jpg" data-org-width="810" dmcf-mid="0taiA0jJAH" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202610/19/chosunbiz/20261019165121225giil.jpg" width="658">
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 삼성전자의 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E(오른쪽)와 이를 구성하는 코어 다이 웨이퍼 모습./삼성전자
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 삼성전자가 내년 말까지 D램 생산능력을 올해 말보다 17% 늘릴 수 있다는 전망이 나왔다. 증설이 빠르게 진행되고 있지만 인공지능(AI) 서버용 메모리의 공급 부족이 장기간 이어질 것이라는 분석이 우세하다. 웨이퍼 소모량이 많은 고대역폭메모리(HBM)에 증설이 집중되고, 새 공장에서 제품이 본격적으로 출하되기까지도 시간이 걸려 ‘D램 품귀’가 최소 2028년까지는 이어질 수 있다는 것이다.
 19일 반도체 업계에 따르면 글로벌 투자은행(IB) UBS는 최근 발간한 ‘메모리 반도체 월간 보고서’에서 삼성전자의 D램 생산능력이 올해 4분기 월 70만장에서 내년 4분기 월 82만장으로 늘어날 것으로 추정했다. 12인치(300㎜) 웨이퍼 기준으로 월 12만장을 더 처리할 수 있게 된다는 의미다.
 UBS는 삼성전자 평택캠퍼스 P4 공장의 생산시설 확충이 마무리되고, P5-1에 내년 7월부터 장비가 반입되는 것을 전제로 생산능력을 추산했다. 2028년에는 P5-1의 생산공간을 순차적으로 확충하거나 기존 P2·P3에서 생산량 확대를 막는 제약을 해소해 월 15만장이 넘는 추가 증설도 가능하다고 봤다.
 다만 UBS는 이 같은 증설이 수급에 미치는 영향은 2028년 말 전까지 제한적일 수 있다고 분석했다. 생산시설을 늘리는 만큼 시장에 공급할 메모리 용량도 비례해 증가하는 것은 아니기 때문이다. 증설이 공급 부족 해소로 이어지기까지의 ‘시차’도 고려해야 한다. UBS 전망대로 삼성전자가 P5-1에 내년 7월 장비를 들이더라도 설치와 공정 안정화를 거쳐야 제품이 출하될 수 있다.
 웨이퍼는 반도체를 만드는 바탕 재료인 얇은 실리콘 원판을 말한다. 메모리 제조사는 원판 위에 D램 칩을 여러 개 만든 뒤 하나씩 잘라 제품으로 완성한다. 월간 웨이퍼 처리 능력이 공장의 생산 규모가 되는 구조다.
 ◇ HBM 늘릴수록 웨이퍼 더 필요… 범용 D램도 ‘빠듯’
 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자는 올해 2분기 매출 기준 D램 시장 점유율 39.4%로 세계 1위다. 메모리 3사(삼성전자·SK하이닉스·마이크론) 중 가장 큰 생산능력을 보유한 삼성전자가 AI 수요 확대에 대응해 증설을 빠르게 진행하고 있음에도 공급난이 쉽게 풀리지 않는 배경으로는 HBM 생산 구조가 꼽힌다.
 HBM은 D램 칩을 여러 층으로 쌓아 많은 데이터를 빠르게 주고받도록 만든 메모리다. 칩을 위아래로 연결하는 미세 통로와 추가 회로가 필요해 많은 면적을 요구한다. 웨이퍼 한 장에서 얻는 칩 수는 그만큼 줄어든다. 여러 칩을 쌓아 완성하는 과정에서도 불량에 따른 손실이 발생한다. 마이크론은 같은 용량을 생산할 때 HBM3E(5세대)는 범용 D램보다 약 3배 많은 웨이퍼 생산능력이 필요하고, HBM4E(7세대)에서는 이 비율이 4배에 가까워질 수 있다고 했다.
 UBS는 삼성전자의 HBM용 월 웨이퍼 생산능력이 올해 말 17만장에서 내년 말 26만장으로 늘어날 것으로 봤다. 반면 HBM 이외 D램용 생산능력은 52만4000장에서 55만1000장으로 2만7000장 증가하는 데 그칠 것으로 추정했다.
 KB증권도 내년 말 삼성전자·SK하이닉스·마이크론의 HBM용 웨이퍼 투입 비중이 전체 D램의 30%에 이르지만, 저장용량 기준 공급 비중은 13%에 그칠 것으로 봤다. 김동원 KB증권 리서치본부장은 “증설의 중심이 HBM에 집중되면서 범용 D램의 실질적 공급 여력은 오히려 더욱 제약될 것으로 예상된다”고 했다.
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 삼성전자 평택 반도체 공장./삼성전자
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 ◇ 공장 가동엔 시차… 서버 한 대에 들어가는 메모리도 증가
 메모리 반도체 수요가 지속적으로 늘어나는 점도 D램 품귀 장기화의 요인으로 작용하고 있다. UBS는 HBM을 포함한 내년 서버용 D램 수요가 저장용량 기준 올해보다 83.1% 늘어날 것으로 봤다. 서버당 평균 D램 탑재량은 57% 증가할 수 있다고 전망했다. 이에 따라 내년 전체 D램 수요가 38.9% 늘어나지만, 출하 공급량은 24.4% 증가하는 데 그칠 것으로 예상했다. 사람을 대신해 여러 업무를 수행하는 에이전틱 AI가 확산하면서 서버용 D램 수요가 늘어나고 있는 것이다.
 일부 AI 가속기 제조사가 메모리 탑재량 축소를 검토하고 있지만, 이를 수요 감소로 단정하기 어렵다는 분석도 나온다. 김영건 미래에셋증권 연구원은 최근 보고서에서 고객들이 메모리 탑재량을 낮추더라도 연산 칩 대수를 최대화하고 있다며 “향후 메모리 증산은 곧 탑재량 증가로 흡수될 전망”이라고 했다.
 D램 공급 측면에서는 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 증설이 변수가 될 수 있다는 분석도 나온다. UBS는 웨이퍼 기준 세계 D램 생산능력에서 CXMT가 차지하는 비중이 올해 14%에서 내년 16%로 확대될 것으로 봤다. CXMT는 최근 같은 면적에 더 많은 데이터를 담을 수 있는 ‘4F²’ 구조의 서버용 DDR5 제품을 연말에 선보일 계획이라고 발표하기도 했다.
 반도체 업계 관계자는 “삼성전자의 생산능력이 17% 늘어도 HBM에 얼마나 배정되는지에 따라 범용 D램 공급량이 달라진다”며 “CXMT가 중국 내 범용 D램 수요를 더 많이 흡수하면, HBM 품귀가 이어지는 동안에도 한국 업체의 범용 D램 가격 협상력과 수익성이 압박받을 수 있다”고 분석했다.
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