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[IT뉴스]립부 탄 인텔 CEO "새 메모리 아키텍처 검토"

온카뱅크관리자

2026-08-13 09:07:29

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> 올 초 사이메모리와 차세대 적층형 메모리 기술 'ZAM' 협력도 
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 (지디넷코리아=권봉석 기자)립부 탄 인텔 최고경영자(CEO)가 최근 "새로운 메모리 아키텍처를 검토하고 있다"며 메모리 관련 산업에 직·간접적으로 관여할 의사가 있음을 밝혔다.
 립부 탄 인텔 CEO는 11일(현지시간) 공개된 팟캐스트 '테크서지'에서 "예전에는 '메모리는 일종의 상품 사업이기 때문에 투자하면 안된다'고 생각했지만 현재는 다르다"고 설명했다.
 이어 "새로운 기술이 많이 나오고 있다. 새로운 메모리 아키텍처 가운데 하나를 살펴보는 것이 내가 관심을 갖고 있는 프로젝트 중 하나"라고 밝혔다.
 립부 탄 CEO가 주목한 분야 중 하나는 CPU 위에 메모리를 직접 쌓는(적층) 기술이다.
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 <img alt="컴퓨텍스 타이베이 2026 기조연설을 진행하는 립부 탄 인텔 CEO. (사진=지디넷코리아)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/13/ZDNetKorea/20260813090138607ekke.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="Uqq3ZW6bAK" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/13/ZDNetKorea/20260813090138607ekke.jpg" width="658">
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 컴퓨텍스 타이베이 2026 기조연설을 진행하는 립부 탄 인텔 CEO. (사진=지디넷코리아)
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 그는 "CPU와 메모리에는 함께 적층할 수 있는 방법이 많이 있다고 생각한다. 메모리를 위한 새로운 아키텍처도 찾아보려 한다"고 설명했다.
 그는 해당 프로젝트의 구체적인 내용에 대해서는 공개하지 않았다. 다만 "최근 인텔이 SK하이닉스 출신 이석희 전 CEO를 영입했고 내가 무엇을 생각하고 있는지 알 수 있을 것"이라고 설명했다.
 인텔은 1968년 8월 설립 이후 이듬해인 1969년 첫 상용 제품인 64비트 3101 S램을 출시하는 등 창업 초기부터 메모리 관련 사업에 주력하기도 했다. 그러나 1980년대 중반 이후 한국과 일본, 대만 메모리 업체들이 추격하자 메모리 사업을 접었다.
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 <img alt="인텔이 1969년 생산한 첫 제품인 '3101' SRAM. (사진=지디넷코리아)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/13/ZDNetKorea/20260813090139896fueb.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="qRadQfmjjz" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/13/ZDNetKorea/20260813090139896fueb.jpg" width="658">
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 인텔이 1969년 생산한 첫 제품인 '3101' SRAM. (사진=지디넷코리아)
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 2015년에는 마이크론과 함께 개발한 새로운 소자 '3D 크로스포인트' 기반 옵테인 메모리·SSD를 개발했지만 팻 겔싱어 전 CEO 취임 1년 뒤인 2022년 완전 철수했다.
 립부 탄 CEO의 발언을 과거와 같은 범용 D램 사업 복귀로 해석하는 것은 무리가 있다. 메모리 제조업 자체보다 새로운 메모리 아키텍처와 CPU-메모리 적층 등 차세대 기술에 중점을 둔 것으로 봐야 한다.
 인텔은 2월 소프트뱅크 계열 사이메모리와 차세대 적층형 메모리 기술인 'Z앵글 메모리(ZAM)' 개발 협력을 발표했다.
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 <img alt="D램을 8단으로 적층한 NGDB D램 시제품. (사진=인텔-DoE SNL)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/13/ZDNetKorea/20260813090141167gmsz.jpg" data-org-width="385" dmcf-mid="GnU2qpoMNy" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/13/ZDNetKorea/20260813090141167gmsz.jpg" width="658">
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 D램을 8단으로 적층한 NGDB D램 시제품. (사진=인텔-DoE SNL)
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 ZAM은 AI와 고성능컴퓨팅(HPC)을 겨냥해 높은 대역폭과 대용량, 저전력 특성을 목표로 하는 기술이다.
 ZAM 개발에는 미국 에너지부(DOE)와 국가핵안보국(NNSA)이 샌디아, 로런스 리버모어, 로스앨러모스 국립연구소를 통해 관리하는 '차세대 메모리 기술(AMT) R&amp;D 프로그램'의 기초 연구 결과물을 활용 예정이다.
 당시 인텔은 메모리 아키텍처와 패키징 기술 개발에 참여하며 2028년까지 시제품을, 2029년 상용화를 목표로 제시했다.
 AI 데이터센터 확산으로 메모리가 단순한 부품을 넘어 시스템 성능과 전력효율을 좌우하는 핵심 요소로 부상한 만큼, 인텔이 설계·패키징 기술을 중심으로 메모리 영역에서 새로운 사업 기회를 모색할 가능성에 무게가 실린다.
 권봉석 기자(bskwon@zdnet.co.kr)
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