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[IT뉴스]D램 3년, HBM 4년으로 격차 좁혀… 中 반도체 추격 속도 무섭다

온카뱅크관리자

2026-07-29 00:57:28

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> 세계 반도체 시장 흔드는 중국 
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 <img alt="중국 안후이성 허페이에 위치한 창신 메모리 테크놀로지(CXMT) 본사. /로이터 연합뉴스" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202607/29/chosun/20260729005311889jrxq.jpg" data-org-width="4275" dmcf-mid="QDB86id8Gt" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202607/29/chosun/20260729005311889jrxq.jpg" width="658">
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 중국 안후이성 허페이에 위치한 창신 메모리 테크놀로지(CXMT) 본사. /로이터 연합뉴스
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 중국 반도체 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 27일 상장 첫날 주가가 465% 올라 중국 시가총액 1위 기업이 되면서, 글로벌 메모리 반도체 시장이 긴장하고 있다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론과 기술 격차가 큰 ‘2류’로 여겨졌던 CXMT가 대규모 자금을 바탕으로 생산 능력을 확대해 세계 D램 반도체 시장 구조를 흔들 ‘메기’ 역할을 할 수 있다는 관측이 나오기 때문이다.
 한국의 삼성전자·SK하이닉스와 CXMT·양쯔메모리테크놀로지(YMTC)·SMIC 등 중국 반도체 기업 간 기술 격차는 여전히 크다. 그러나 중국은 낮은 수율과 높은 원가를 정부 지원과 대규모 설비 투자, 거대한 내수 시장으로 메우며 빠르게 추격해 오고 있다. 과거 세계 D램 시장을 주도했던 일본이 1990년대 한국에 주도권을 내줬듯, 한국도 중국의 물량 공세와 기술 추격에 밀릴 수 있다는 우려가 나온다.
 ◇D램과 HBM, 2~3세대 차이
 CXMT는 현재 최신 세대 D램인 DDR5와 저전력 제품 LPDDR5X를 양산하고 있다. 그러나 제품을 만드는 주력 기술은 한국 반도체 업체와 차이가 난다. CXMT가 쓰는 ‘G4’ 공정은 삼성전자와 SK하이닉스가 2019년 양산한 1z(10나노급 3세대) 공정과 비슷한 수준으로 평가된다. 현재 개발 중인 G5 공정도 이미 삼성·SK가 양산 중인 1b·1c(10나노급 5~6세대) 공정보다 1~2세대 뒤처진 기술이다.
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 그래픽=이철원
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 D램을 아파트처럼 쌓는 고대역폭 메모리(HBM)에서는 격차가 더 크다. CXMT는 작년 말 기준 월 5000장의 D램만 HBM 생산에 투입했다. 전체 D램 생산량(월 26만5000장)의 2%도 안되는 수준으로, 사실상 시험 생산에 가깝다. 현재 한국 업체들은 HBM4(6세대) 양산과 HBM4E(7세대) 개발에 성공한 반면 CXMT는 HBM3(4세대) 양산에도 어려움을 겪고 있다. 반도체 업계에서는 한중 기술 격차가 범용 D램은 3~4년, HBM은 4~5년 안팎으로 본다.
 ◇파운드리는 5~6년, 낸드는 비슷해
 파운드리(반도체 위탁생산) 분야 기술 격차가 더 크다. 중국 최대 파운드리 업체 SMIC는 미국의 수출 규제로 5나노(1나노는 10억분의 1m) 이하 첨단 반도체 생산에 필요한 극자외선(EUV) 장비를 도입하지 못하고 있다. SMIC의 최첨단 공정은 ‘N+3’ 공정, 즉 7나노 3세대 공정으로 세계 1위 파운드리인 대만의 TSMC가 2020년 전후 양산한 공정과 비슷한 수준이다. 현재 삼성전자도 2나노 공정으로 반도체를 양산하는 것을 감안하면, 중국과 한국의 파운드리 기술 격차는 5~6년에 달하는 것이다.
 반면 낸드플래시 분야에서는 중국이 빠르게 쫓아왔다. 중국 YMTC는 셀 하나에 3비트를 저장하는 TLC와 4비트를 저장하는 QLC 제품을 모두 상용화했고, 200단 후반대 적층 기술도 확보했다. SK하이닉스가 300단대 낸드플래시를 양산하고 있지만, 기술 격차는 크지 않다는 분석이 나온다. YMTC는 메모리 셀과 이를 제어하는 회로를 통째로 결합하는 ‘엑스태킹(Xtacking)’ 기술을 보유하고 있는데, 세계 낸드 1위인 삼성전자가 400단 이상 낸드 개발을 위해 YMTC의 이 기술을 도입하기로 했다.
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 /그래픽=양진경
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 ◇무서운 추격 속도
 전문가들이 주목하는 것은 현재의 격차가 아닌 추격 속도다. CXMT와 YMTC는 2016년 설립, 불과 10년 만에 범용 메모리 주요 제품을 양산하는 글로벌 4위권 업체가 됐다. 올 1분기 점유율은 CXMT가 D램 8%, YMTC가 낸드 13%다. SMIC도 2019년 14나노에서 2022년 7나노급 공정으로 빠르게 진입했다.
 증설 속도도 공격적이다. CXMT의 월 D램 생산 능력은 2024년 초 10만장에서 올해 35만장으로 늘고, 장기적으로 60만장까지 확대될 전망이다. YMTC도 월 20만장 안팎인 낸드 생산 능력을 두 배 이상으로 늘리는 방안을 추진하고 있다. 이를 통해 CXMT와 YMTC는 시장 3위권 진입을 노린다. 시장조사 업체 카운터포인트리서치의 황민성 디렉터는 “시장 점유율 15%는 CXMT가 반드시 넘어야 할 기준선이며, 모든 투자는 그 목표를 가장 먼저 달성하기 위한 것”이라고 했다.
 중국은 낮은 수율과 생산성을 거대한 내수 시장으로 버티면서 생산 규모부터 키운 뒤, 양산 과정에서 경험을 축적해 수율과 기술력을 높이는 전략을 쓰고 있다. 김용석 가천대 석좌교수는 “결국 초격차밖에 없다”며 “HBM 우위를 지키는 동시에 연산 기능을 결합한 차세대 메모리를 서둘러 상용화해야 한다”고 했다.
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