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[IT뉴스]영업이익률 40%對22%…HBM이 갈라놓은 희비

온카뱅크관리자

2024-11-04 08:47:35

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> 삼성전자-SK하이닉스, 고부가 메모리에 투자 집중 
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 [아이뉴스24 박지은 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 3분기 실적을 공개한 가운데 두 회사 메모리 사업 분야 영업이익률 격차가 눈길을 끈다.
 메모리 사업 중심인 SK하이닉스는 영업이익률을 공개했다. 40%. 삼성전자는 이 분야 영업이익률을 공개하지 않았지만 22%로 추정되고 있다.
 SK하이닉스가 훨씬 더 효율적인 경영을 했다는 뜻이다. 인공지능 덕분에 부가가치가 높은 고대역폭메모리(HBM) 분야에서 앞서갔기 때문이다.
 고대역폭메모리(HBM)의 확장성과 수익성이 확인된 만큼 두 회사는 HBM과 DDR5 등 향후 고가 제품 생산에 집중적으로 투자하겠다는 계획이다.
 두 회사 사이에 HBM발(發) '쩐의 전쟁'이 벌어지게 된 것이다.
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 <img alt="SK하이닉스의 'HBM3E' 12단 적층 양산 제품 [사진= SK하이닉스]" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202411/04/inews24/20241104084736226idpt.jpg" data-org-width="580" dmcf-mid="bSrAjo5rey" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202411/04/inews24/20241104084736226idpt.jpg" width="658">
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 SK하이닉스의 'HBM3E' 12단 적층 양산 제품 [사진= SK하이닉스]
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 ◇SK하이닉스 40% 對 삼성 22%…HBM이 가른 영업이익률 희비
 금융투자업계에서 추정하는 삼성전자 메모리사업부의 3분기 영업이익은 5조3000억원, 영업이익률은 22%대다. 지난 2분기 영업이익률 29%보다 7%포인트 하락했다.
 삼성전자가 HBM 시장 핵심 고객사인 엔비디아에 제품을 공급하지 못하는 사이, 중국 메모리 업계의 범용 제품 출하가 늘면서 수익성 하락을 겪은 것으로 풀이된다.
 이와 달리 SK하이닉스는 3분기 영업이익 7조300억원으로 영업이익률 40%를 기록했다. 고가의 HBM 수요 증가에 발 빠르게 대응한 덕분이다.
 반도체 업계 한 관계자는 "과거 삼성전자가 40% 이상의 영업이익률을 내고, 2등 SK하이닉스는 20대 후반 영업이익률을 기록하는 게 보통이었는데, 메모리 시장이 급변하면서 두 회사의 영업이익률이 완전히 뒤바뀌었다"고 말했다.
 삼성전자 DS부문 전체 영업이익은 3조8600억원, 영업이익률은 13%로 집계됐다.
 부문별 영업이익은 △메모리 5조3000억원 △비메모리 -1조5000억원으로 추정된다.
 김운호 IBK투자증권 연구원은 "메모리사업부의 경우 충당금 설정에 따른 일회성 비용이 반영됐고, 비메모리는 비용 구조가 크게 악화됐다"며 "일회성 비용을 제외하면 2분기보다 영업이익은 증가했을 것"이라고 설명했다.
 ◇두 회사 모두 고부가 제품에 투자 집중할 듯
 메모리별 수익성이 뚜렷하게 확인된 만큼 두 회사는 기존 범용(레거시) 메모리 라인을 고대역폭메모리(HBM)로 전환하는 데 시설투자를 집중하고 있다.
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 <img alt="젠슨 황 엔비디아 CEO가 미국 새너제이에서 열린 연례 개발자 컨퍼런스 'GTC 2024'에 마련된 삼성전자 부스를 찾아 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E에 친필 사인을 남겼다. [사진=한진만 삼성전자 부사장 SNS 캡처.]" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202411/04/inews24/20241104084737817cdep.jpg" data-org-width="500" dmcf-mid="KR7FtXe7RT" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202411/04/inews24/20241104084737817cdep.jpg" width="658">
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 젠슨 황 엔비디아 CEO가 미국 새너제이에서 열린 연례 개발자 컨퍼런스 'GTC 2024'에 마련된 삼성전자 부스를 찾아 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E에 친필 사인을 남겼다. [사진=한진만 삼성전자 부사장 SNS 캡처.]
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 삼성전자는 연말까지 반도체 사업에 47조9000억원대 시설투자를 집행할 계획이다.
 삼성전자는 "반도체 위탁생산(파운드리) 시황을 고려해 전체적인 투자 규모는 줄었지만, 메모리 관련 투자는 지난해와 비슷한 수준을 유지할 것"이라고 설명했다.
 삼성전자 메모리사업부는 특히 연말까지 HBM과 DDR5 등 고부가가치 제품 전환에 중점을 둔 시설 투자를 진행할 방침이다. HBM의 가격이 범용 D램에 비해 최소 4배 이상 높아 더 높은 수익을 올릴 수 있다는 게 분명해졌기 때문이다.
 SK하이닉스도 올 연말까지 10조 중후반대 투자를 단행하고, 내년엔 10조 후반대 시설투자를 예고했다. 특히 내년도 투자 방향으로 "범용 제품 생산을 줄이고, 고가의 DDR5·LPDDR5 양산을 늘리기 위한 전환 투자를 고려하고 있다"며 "올해보다 (시설투자 규모가) 소폭 증가할 것으로 예상된다"고 밝혔다.
 SK하이닉스는 또 "주요 고객사의 HBM 수요에 최대한 대응하되, 내년 시황에 따라 유연한 투자 결정을 하겠다" 강조했다.
 <address dmcf-pid="pXHvSI9Hni" dmcf-ptype="general">/박지은 기자(qqji0516@inews24.com)
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